發(fā)布時間:2024-03-30 瀏覽次數(shù):363
InP非常適用于高頻器件,如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等方面。InP基器件在筆米波、通訊、防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用
產(chǎn)品名稱 |
磷化銦(InP)晶體基片 |
技術(shù)參數(shù) |
晶體結(jié)構(gòu):立方晶系 |
晶格常數(shù):a=5.4505 ? |
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摻雜:None;Sn;S;Fe:Zn |
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密度:4.81g/cm3 |
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硬度:3 Hohs |
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導(dǎo)電類型:N;N;N;Si;P |
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折射率:3.45 |
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載流子濃度:1-2x1016 1-4x1018 1-3x1018 .64x1018 |
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位錯密度:<5x104 cm-2 |
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生長方法:LEC |
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熔點:1062℃ |
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彈性模量:7.1E1ldym cm-2 |
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產(chǎn)品規(guī)格 |
常規(guī)晶向: |
常規(guī)尺寸:2″~x0. 5mm 10x10x0.5mm |
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拋光情況:單拋 |
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表面粗糙度:15A |
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注:只寸及方向可按照客戶要求定做 |
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晶體缺陷 |
人工金屬單晶存在常見晶體缺陷,表面可能會有小黑點,微小氣泡等 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝 |