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InSb（銻化銦）晶體

發(fā)布時間：2024-04-08  瀏覽次數(shù)：298

InSb晶體在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進行自旋電子學(xué)研究與拓撲量子計算等前沿物理探索的理想材料。

產(chǎn)品名稱

銻化銦(InSb)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：立方晶

晶格常數(shù)：6.06 ?

硬度（Mohs）：3.8

密度：5.66g/cm3

熔點：942℃

摻雜：None;Te;Ge

導(dǎo)電類型：N型 和 P型

載流子濃度：1-5x1014   1-2x1015 

 位錯密度：<2x102 cm-2

生長方法：FZ 或 LCE

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：（100）

公差：±0.5o

常規(guī)尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm

拋光情況：單拋  雙拋

表面粗糙度：<15?

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。

晶體材料咨詢電話：199-5653-2471王經(jīng)理

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