發(fā)布時(shí)間:2024-03-30 瀏覽次數(shù):370
產(chǎn)品名稱 |
砷化銦(InAs)晶體 |
技術(shù)參數(shù) |
晶體結(jié)構(gòu):立方晶系 |
晶格常數(shù):a=5.4505 ? |
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摻雜類型:不摻雜 |
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導(dǎo)電類型:N |
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載流子濃度:2 ~ 5E16 / cm3 |
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遷移率:>18500cm2/V.S |
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生長方法:CZ |
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產(chǎn)品規(guī)格 |
常規(guī)晶向: |
常規(guī)尺寸:2"x0.5mm 10x10x0.5mm |
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拋光情況:單拋 雙拋 |
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表面粗糙度:<15A |
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注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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晶體缺陷 |
人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝。 |
晶體制備相關(guān)設(shè)備