發(fā)布時(shí)間:2024-03-23 瀏覽次數(shù):311
Ga:ZnO晶體新一代寬禁帶,直接帶隙的多功能 II-V 族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)秀的光電、壓電、氣敏、壓敏等特性。
產(chǎn)品名稱
Ga:ZnO晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):六方晶系
晶格常數(shù): a= 3.252 ? , c = 5.313 ?
熔點(diǎn):1975℃
硬度:4 Mohs
密度:~5.7 g/cm3
帶隙:3.37eV
介電常數(shù):8.5
比熱容:0.125 cal/gm
導(dǎo)電性:N type
導(dǎo)熱系數(shù):0.006 cal/cm/ oK
熱膨脹系數(shù):2.90 x 10-6/oK
位錯(cuò)密度:< 4 x 104 /cm2
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向: (0001)
常規(guī)尺寸:5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm
表面粗糙度:<5A
注:尺寸可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理