發(fā)布時(shí)間：2024-03-23 瀏覽次數(shù)：361
近十年來，β-氧化鎵（β-Ga2O3）材料和器件技術(shù)取得了快速發(fā)展，其禁帶寬度EG=4.9eV，遠(yuǎn)超碳化硅(約3.4eV)、氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，具有很強(qiáng)的電子學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。它具有高折射率、可調(diào)諧的拉曼散射響應(yīng)、低的漏電流和以非常穩(wěn)定的外延特性。它還具有出色的小波紋動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)特性和高的發(fā)射效率。此外，它還具有很高的壓集能和硒的抗氧化能。
?-Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。
|
產(chǎn)品名稱 |
?-Ga2O3單晶基片 |
|
技術(shù)參數(shù) |
晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系 |
|
晶格常數(shù)：a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ?=103.7° |
|
|
密度：5.95g/cm3 |
|
|
熔點(diǎn)：1725℃ |
|
|
摻雜類型：N型 |
|
|
電阻率：R≤0.2Ω·cm |
|
|
遷移率：300cm2/v·s |
|
|
禁帶寬：4.8-4.9V |
|
|
產(chǎn)品規(guī)格 |
常規(guī)晶向： (100) |
|
常規(guī)尺寸：10x10x0.7-0.8mm. |
|
|
拋光情況：單拋、雙拋 |
|
|
表面粗糙度：<15A |
|
|
注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
|
|
晶體缺陷 |
人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
|
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝 |
晶體制備相關(guān)設(shè)備
河南諾巴迪材料科技有限公司
銷售熱線： 0371-6320 2801 0371-6320 2805
售后服務(wù)： 0371-6320 2805
郵箱：nbd@nbdkj.com
地址：鄭州·新鄭·新華街道竹園8號(hào)
