發(fā)布時間:2024-03-23 瀏覽次數:300
GaN晶體氮化鎵是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導體,由于具有化學穩(wěn)定性好、熱傳導性能優(yōu)良、擊穿電壓高、大功率,近年在光電子領域和高溫高頻電子應用備受關注,是目前最優(yōu)秀的半導體材料。
產品名稱:
GaTe 單晶基片
技術參數:
電阻率:N/A
產品規(guī)格;
晶向:(0001)
尺寸:10x10x1.0mm
拋光情況:拋光,自然解理面
注:可按客戶要求定制方向和尺寸
標準包裝
標準包裝:1000 級超凈室,100級超凈袋
產品名稱
氮化鎵(GaN)晶體基片
技術參數
晶體結構:六方晶系
晶格常數a= 3.186
? , c = 5.186 ?
傳導類型:N型摻Si;N型不摻雜
可用表面積:>90%
位錯密度:(5-9)x105Ω.cm
電阻率:R<0.05 Ω.cm;R<0.1Ω.cm
介電常數:8.9
TTV:≤15um
密度:6.15(g/cm3)
生長方法:HVPE(氫化物氣相外延法)
產品規(guī)格
常規(guī)晶向: (0001)
常規(guī)尺寸:10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm
表面粗糙度:<5?
注:尺寸可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝
1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經理