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ZNTE晶體

發(fā)布時(shí)間:2024-07-13  瀏覽次數(shù):103


Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。

產(chǎn)品名稱

碲化鋅(ZnTe)晶體基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。

技術(shù)參數(shù)

生長方法:Bridgeman

結(jié)構(gòu):立方

晶格常數(shù)(?) :6.103

密度(g/cm3:5.633

熔點(diǎn)(℃):1239

熱容(J/g.k:0.16

熱膨脹系數(shù)(10-6/k:8.0

透明波長(μm7 -12(>66%

折射率:2.7

產(chǎn)品規(guī)格

碲化鋅:N

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格:5x5x1.0mm10x10x1.0mm、雙拋

表面粗糙度Ra<15A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理

晶體制備相關(guān)設(shè)備   




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