發(fā)布時(shí)間:2024-07-13 瀏覽次數(shù):103
Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
產(chǎn)品名稱
碲化鋅(ZnTe)晶體基片
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
技術(shù)參數(shù)
生長方法:Bridgeman
結(jié)構(gòu):立方
晶格常數(shù)(?) :6.103
密度(g/cm3):5.633
熔點(diǎn)(℃):1239
熱容(J/g.k):0.16
熱膨脹系數(shù)(10-6/k):8.0
透明波長(μm)7 -12(>66%)
折射率:2.7
產(chǎn)品規(guī)格
碲化鋅:N型
標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格:、5x5x1.0mm、10x10x1.0mm、雙拋
表面粗糙度Ra:<15A
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做
晶體缺陷
人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理
晶體制備相關(guān)設(shè)備