產(chǎn)品名稱

YVO4 晶體基片

技術參數(shù)

晶體結構：四方晶系

晶格常數(shù)：a=7.12 ?  c=6.29? 

密度：4.22 g/cm3

晶體純度：99.99%

熔點：1825℃

莫氏硬度：5

潮解性：不潮解

熱膨脹系數(shù)：4.43x10-6//a； 11.37x10-6//c

透過范圍：0.4~5um

熱導率：A 軸= 5.32 W/(m.k)；C 軸= 5.10 W/(m.K)

熱光系數(shù)：dna/dT=8.5x10-6/K；dnc/dT=3.0x10-6/K

折射率、雙折射及45°的離散角ρ   

No=1.9929,ne=2.2154,△n=0.2225,ρ=6.04o at 0.63um 

No=1.9500,ne=2.1554,△n=0.2054,ρ=5.72o at 1.30um

No=1.9447,ne=2.1486,△n=0.2039,ρ=5.69o at 1.55um

生長方式：提拉法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： 、、

常規(guī)尺寸：10x5x0.5mm,5x5x0.5mm,dia1inch x0.5mm 

拋光情況：單拋、雙拋、細磨

晶體粗糙度：<5A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝