產(chǎn)品名稱

SiO2 晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系 

晶格常數(shù)：a=4.914?  c=5.405 ?

密度：2.533   

熔點：1700℃ ( phase transition point: 573.1oC)

莫氏硬度：（Mohs）7.0    

折射率：1.544

介電常數(shù)：3.6

熱膨脹系數(shù)5×10-7/k

生長方法：水熱法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： Y、X或Z切，Y在30o~42.75 o ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值  

常規(guī)尺寸： 10x10x0.5mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

拋光情況：單拋、雙拋

拋光面粗糙度：< 5A注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。