產(chǎn)品名稱

Si 單晶基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系

晶格常數(shù)：a=5.4301 ? 

摻雜類型：N型不摻雜、N型摻P、N型摻As、N型摻Sb、P型摻B       

硬度（mohs):6.5

電阻率：10000～0.001Ω.cm

超導(dǎo)率（w/m.k):149

密度：2.329（g/cm3）

熔點(diǎn)：1414℃

熱膨脹系數(shù)（/k):2.6×10-6

生長(zhǎng)方法：CZ和FZ

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向

常規(guī)尺寸：Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm 

拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋、細(xì)磨

拋光面粗糙度：< 10A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷.

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝