收藏本站    |   聯(lián)系我們    |  中文 / EN
    A-Z晶體及材料 當前位置:網(wǎng)站首頁 > 產(chǎn)品展示

NdGaO3(鎵酸釹)晶體

發(fā)布時間:2024-04-13  瀏覽次數(shù):238


NdGaO3晶體

NdGaO3是近十年中發(fā)展起來的新型基片,主要用作高溫超導體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很?。▇0.27%),且無結(jié)構(gòu)相變,在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜。

產(chǎn)品名稱

鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):正交晶系

晶格常數(shù):a=5.43 ?  b=5.50 ?  c=7.71?  

密度:7.57 g/cm3

熔點:1600 °C

硬度:5.9 Mohs

介電常數(shù):<20300k

生長方法:提拉法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向: 、、、

公差:±0.5°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:單拋 、雙拋粗糙度:<5A

注:可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向;

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷

標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理

晶體制備相關設備   




上一篇:Ni(鎳)晶體