發(fā)布時(shí)間:2024-04-12 瀏覽次數(shù):255
Nb:SrTiO3晶體基片
摻鈮鈦酸鍶單晶與純鈦酸鍶有相似的結(jié)構(gòu),但有電導(dǎo)性。摻鈮鈦酸鍶的電阻率在0.1 – 0.001 W-cm之間變化隨著摻鈮濃度在0.1-0.001wt%之間不同。傳導(dǎo)的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。普若菲特提供高質(zhì)量低成本的摻鈮鈦酸鍶基片。
產(chǎn)品名稱
摻鈮鈦酸鍶(Nb:SrTiO3)晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):立方晶系
晶格常數(shù):a=3.905 ?
Nb摻雜:0.7% , 0.5% , 0.05%
密度:5.175 g/cm3
熔點(diǎn):2080°C
硬度:6 mohs
熱膨脹系數(shù):10.4×10-6/℃
在10 GHz的損耗正切:~5×10-4 @ 300K,~3×10-4
@ 77K
化學(xué)穩(wěn)定性:不溶于水
生長(zhǎng)方法:熔焰法
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向
晶向公差:±0.5°
常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm, 5x5x0.5mm
拋光情況:?jiǎn)螔仭㈦p拋、細(xì)磨
拋光面粗糙度:<5A
注:可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向.
晶體缺陷
人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理
晶體制備相關(guān)設(shè)備