產(chǎn)品名稱

MoSe2 二硒化鉬

技術(shù)參數(shù)

類型：CVT法人工合成

純度：>99.99％

外觀：銀灰色

電導(dǎo)：半導(dǎo)體

帶隙： 單層MoSe2直接帶隙 1.55 eV

晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系

晶體常數(shù)：a=b=3.29,  c=12.89  ,α=β=90° ,γ=120°

生長方法：化學(xué)氣相傳輸

常規(guī)尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝