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MgO（氧化鎂）晶體

發(fā)布時間：2024-04-11  瀏覽次數(shù)：263

MgO晶體

氧化鎂（MgO）是極好的單晶基片而廣泛應(yīng)用于制作鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜、光電薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等，由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。我司可提供高純度的尺寸約2”x2”x 1”的低成本的MgO單晶，采用化學(xué)機(jī)械拋光制備出高質(zhì)量原子級表面的基片。

產(chǎn)品名稱

氟化鎂(MgF2)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：四方晶系

晶格常數(shù)：a=4.62?  c=3.04?  

密度：3.18 g/cm3

熔點：1255 °C

硬度：6 mohs

熱膨脹系數(shù)：13.7×10-6/℃

折射率：no=1.3836   ne=1.3957

透光波長：110-7500nm

透過率:>93% @5μm  ；  >85% @ 0.2μm

溫度系數(shù)( dh / dt x 10-6 )2.3 ~1.7 @ 0.4 m

生長方法：坩堝下降法  

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：

常規(guī)尺寸： 10x10x0.5mm；10x5x0.5mm、5x5x0.5mm

拋光情況：單拋、雙拋、細(xì)磨

拋光面粗糙度：< 15A

注：可按客戶要求定制方向和尺寸。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

晶體材料咨詢電話：199-5653-2471王經(jīng)理

晶體制備相關(guān)設(shè)備