發(fā)布時(shí)間:2024-03-25 瀏覽次數(shù):369
GaAs晶體
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小,導(dǎo)熱性差,不適宜制作大功率器件。
產(chǎn)品名稱
砷化鎵(GaAs)晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):立方晶系
晶格常數(shù):a=5.6534?
導(dǎo)電類型:N型摻Si;N型摻Te;不摻雜;P型摻Ga
熔點(diǎn):1237°C
禁帶寬度:1.4電子伏
介電常數(shù):13.1
位錯(cuò)密度:<5x103cm^2 等
遷移率:(3500-3600)cm2/vs 等
生長(zhǎng)方法:VGF生產(chǎn)方法
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向: 、、
常規(guī)尺寸:10x10x0.35mm;dia2″x0.35mm;
拋光情況:?jiǎn)螔?、雙拋
表面粗糙度:<15A
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理