發(fā)布時(shí)間:2024-03-22 瀏覽次數(shù):361
Ce:Lu2SiO5晶體閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率,由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中,比如機(jī)場(chǎng),火車站,自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
產(chǎn)品名稱
Ce:Lu2SiO5晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡本?span>
晶格常數(shù):a=14.254b=10.241 c=6.641 γ=122.0
純度:>99.99%
密度:7.4g/cm3
硬度:5.8( mohs)
熔點(diǎn):2047℃
熱膨脹:19.5 10-6/K
折射率:1.82
發(fā)射波長(zhǎng):418nm
生長(zhǎng)方法:布里奇曼
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向:(001) 摻Ce摩爾比0.175%
常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm
拋光情況:?jiǎn)螔?、雙拋
拋光面粗糙度:Ra<15A
晶體缺陷
人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理