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Ce:Lu2SiO5晶體

發(fā)布時(shí)間:2024-03-22  瀏覽次數(shù):361


Ce:Lu2SiO5晶體閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率,由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中,比如機(jī)場(chǎng),火車站,自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。

產(chǎn)品名稱

Ce:Lu2SiO5晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):?jiǎn)涡本?span>

晶格常數(shù):a=14.254b=10.241 c=6.641  γ=122.0

純度:>99.99

密度:7.4g/cm3 

硬度:5.8( mohs)

熔點(diǎn):2047

熱膨脹:19.5 10-6/K

折射率:1.82

發(fā)射波長(zhǎng):418nm

生長(zhǎng)方法:布里奇曼

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:(001  Ce摩爾比0.175%        

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm

拋光情況:?jiǎn)螔?、雙拋

拋光面粗糙度:Ra<15A

晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封

晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理

晶體制備相關(guān)設(shè)備