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CdSe (硒化鎘晶體)

發(fā)布時間:2024-03-22  瀏覽次數(shù):401


CdSe (硒化鎘晶體)在光電探測,核輻射探測及長波紅外激光輸出等領(lǐng)域應(yīng)用潛力很大


產(chǎn)品名稱

硒化鎘(Cdse)晶體

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):六方晶系

晶格常數(shù):a= 4.2985 ?;c=7.015?

密度:5.81g/cm3

熔點:1240

折射率:2.42

帶隙:1.74 eV

電阻率:低阻(R<1    ohm-cm);高阻(R>10^6        ohm-cm)

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:(0001)、(10-10)

晶向公差:±1°

常規(guī)尺寸:d10x10x1.0mm±0.1mm

拋光情況:雙拋

拋光面粗糙度:60/40

:可按照客戶要求加工民寸及方向。

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋、插盒或單片盒封裝

晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理

晶體制備相關(guān)設(shè)備   


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