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ZNO晶體基片

發(fā)布時(shí)間:2024-07-13  瀏覽次數(shù):130

ZnO晶體基片,化學(xué)式為ZnO,是一種直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這種晶體具有優(yōu)秀的物理性質(zhì)和多樣的功能,如發(fā)光、電光、閃爍等。特別的,ZnO晶體的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂都位于布里淵區(qū)中心 Γ 點(diǎn)處,室溫下的帶隙寬度(實(shí)驗(yàn)值)為3.376eV。

在具體應(yīng)用方面,ZnO單晶基片是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關(guān)鍵基片材料,特別適用于短波長發(fā)光器件,例如LEDs和LDs。此外,ZnO還因其在可見光區(qū)域的透明性、大的機(jī)電耦合系數(shù)以及氣體分子在其表面的吸附和解吸特性,有望用于高峰值能量的能量限制器。



產(chǎn)品名稱

ZnO 晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):六方晶系 

晶格常數(shù):a=3.325 ?  c=5.213 ? 

密度:5.605 g/cm3

晶體純度:99.99%

介電常數(shù):8.5

熔點(diǎn):1975

莫氏硬度:4

熱膨脹系數(shù)(10-6/K)6.5// a  3.7// c

熱容:0.125(J /g.k)

透過波長:0.4~0.6um

熱導(dǎo)率:30W/(m.k)  at300K

生長方式:水熱法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm 

晶體粗糙度:<5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理

晶體制備相關(guān)設(shè)備   


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