發(fā)布時(shí)間:2024-07-13 瀏覽次數(shù):130
ZnO晶體基片,化學(xué)式為ZnO,是一種直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這種晶體具有優(yōu)秀的物理性質(zhì)和多樣的功能,如發(fā)光、電光、閃爍等。特別的,ZnO晶體的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂都位于布里淵區(qū)中心 Γ 點(diǎn)處,室溫下的帶隙寬度(實(shí)驗(yàn)值)為3.376eV。
在具體應(yīng)用方面,ZnO單晶基片是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關(guān)鍵基片材料,特別適用于短波長發(fā)光器件,例如LEDs和LDs。此外,ZnO還因其在可見光區(qū)域的透明性、大的機(jī)電耦合系數(shù)以及氣體分子在其表面的吸附和解吸特性,有望用于高峰值能量的能量限制器。
產(chǎn)品名稱
ZnO 晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):六方晶系
晶格常數(shù):a=3.325 ? c=5.213
?
密度:5.605 g/cm3
晶體純度:99.99%
介電常數(shù):8.5
熔點(diǎn):1975℃
莫氏硬度:4
熱膨脹系數(shù)(10-6/K):6.5//
a 3.7// c
熱容:0.125(J /g.k)
透過波長:0.4~0.6um
熱導(dǎo)率:30W/(m.k) at300K
生長方式:水熱法
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向:、、
常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶體粗糙度:<5A
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理