設(shè)備簡介：

 三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)，即等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）系統(tǒng)，是一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、微電子、光電子、太陽能等領(lǐng)域。該系統(tǒng)通過射頻電源將石英真空室內(nèi)的氣體轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子態(tài)，利用等離子體中的高能電子激活反應(yīng)氣體，使其在較低的溫度下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基材上沉積出所需的薄膜。

設(shè)備宣傳視頻

設(shè)備特點：

      1、溫度控制精準(zhǔn)：三溫區(qū)設(shè)計使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更精準(zhǔn)的溫度控制，滿足不同材料和工藝對溫度的需求。通過三個PID溫度控制器，可以分別控制不同區(qū)域的溫度，確保整個沉積過程在理想的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。

  2、沉積速度快：相比傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，PECVD系統(tǒng)具有更高的沉積速率。這主要得益于等離子體的作用，使得反應(yīng)氣體在較低的溫度下就能發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而加快了沉積速度。

膜層均勻性好：通過射頻電源的頻率控制，可以精確調(diào)節(jié)所沉積薄膜的應(yīng)力大小，從而保證膜層的均勻性和一致性。這種精確控制對于制備高質(zhì)量、高性能的薄膜材料至關(guān)重要。

  3、操作穩(wěn)定性高：三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)采用先進(jìn)的真空系統(tǒng)和多通道質(zhì)子混氣系統(tǒng)，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。在長時間運(yùn)行過程中，系統(tǒng)能夠保持穩(wěn)定的沉積速率和膜層質(zhì)量，滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。

  4、應(yīng)用廣泛：該系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于生長納米線、石墨烯及薄膜材料等領(lǐng)域。例如，在太陽能電池領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備高質(zhì)量的硅基薄膜太陽能電池；在微電子領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備各種薄膜材料，如SiO2、SiNx等。

NBD-O1200-TS3-4ZD-PE

CVD系統(tǒng)

380V 50HZ

1200℃

1150℃

7"

200+200+200mm（三溫三控）

9KW

傳感器類型

石英管Φ80*1400mm

推薦升溫速率

 機(jī)械泵抽氣速率

3~5Pa 配數(shù)顯真空計

進(jìn)氣系統(tǒng)

爐體外形尺寸

規(guī)格型號②

名稱②

 射頻頻率

射頻功率輸出范圍

外形尺寸

500W

控制系統(tǒng)

 1、燒結(jié)工藝曲線設(shè)置：動態(tài)顯示設(shè)置曲線，設(shè)備燒結(jié)可預(yù)存多條工藝曲線，每條工藝曲線可自由設(shè)置；

 2、可預(yù)約燒結(jié)，實現(xiàn)無人值守?zé)Y(jié)工藝曲線燒結(jié)；

 3、實時顯示燒結(jié)功率電壓等信息并記錄燒結(jié)數(shù)據(jù)，并可導(dǎo)出實現(xiàn)無紙記錄；

 4、具有實現(xiàn)遠(yuǎn)程操控，實時觀測設(shè)備狀態(tài)；

 5、溫度校正：主控溫度和試樣溫度的差值，燒結(jié)全程進(jìn)行非線性修正

溫度精度

±1℃

壓力測量與監(jiān)控

采用機(jī)械壓力表，表外殼為氣密型結(jié)構(gòu)，能有效保護(hù)內(nèi)部機(jī)件免受環(huán)境影響和雜物侵入，同時具有較強(qiáng)的耐腐蝕和耐高溫的能力。

供氣系統(tǒng)

采用浮子流量計控制氣體流速，與設(shè)備一體化，且出廠前已進(jìn)行漏氣測試工作。

凈重

280kg

設(shè)備使用注意事項

   1、設(shè)備爐膛溫度≥300℃時，禁止打開爐膛，避免受到傷害；

   2、設(shè)備使用時，爐管內(nèi)壓力不得超過0.125MPa（絕對壓力），以防止壓力過大造成設(shè)備損壞；

   3、真空下使用時，設(shè)備使用溫度不得超過800℃。

   4、供氣鋼瓶內(nèi)部氣壓較高，向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在選購試驗用小壓力減壓閥，減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。

   5、當(dāng)爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓 相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)；

   6、高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃

   7、加熱的實驗時，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，絕對壓力表讀數(shù)不要大于0.15MPa，必須立刻打開排氣端閥門，以防意外發(fā)生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）。

服務(wù)支持

一年有限保修，提供終身支持（保修范圍內(nèi)不包括易耗部件，例如處理管和O形圈，請在下面的相關(guān)產(chǎn)品處訂購更換件。）