產品名稱

LaSrAlO4晶體基片

技術參數(shù)

晶體結構: 四方晶系  

晶格常數(shù)：a=3.756? c=12.636?

密度：5.92g/cm3

熔點：1650°C

介電常數(shù)：16.8

生長方法：提拉法

產品規(guī)格

常規(guī)晶向：（011）、（100）、（110)

晶向公差：±0.5°內

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm

解離情況：沿著（001）面易解離

拋光面粗糙度：Ra<5A注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝