發(fā)布時(shí)間:2024-04-28 瀏覽次數(shù):262
PMN-PT晶體
PMN-PT晶體是一種新型的壓電材料,具有高壓電常數(shù)、大機(jī)電耦合系數(shù)、高介電常數(shù)、低損耗的特性,尤其其壓電性能比普通的壓電材料要提高10倍左右。此外,PMN-PT晶體還表現(xiàn)出優(yōu)異的非線性光學(xué)性能和熱釋電性能。這種材料的應(yīng)用范圍非常廣泛,不僅可以滿足新一代高性能壓電換能器、非線性光學(xué)器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料需求,而且在許多領(lǐng)域都能發(fā)揮重要作用。例如,PMN-PT晶體是人類已知的壓電材料中,壓電靈敏度最高的一類材料,其壓電感應(yīng)效率是現(xiàn)有PZT陶瓷的將近3倍。此外,第二代壓電晶體PIN-PMN-PT(鈮銦酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛)晶體在不犧牲鐵電性能的情況下,其相變溫度 (TR-T)與絞頑場 (Ec)得到明顯提升,應(yīng)用在對環(huán)境溫度較高和功率較大的場合,例如軍用水底聲納以及熱點(diǎn)傳感器等領(lǐng)域。
產(chǎn)品名稱
PMN-PT晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):贗立方晶系
晶格常數(shù):a=~4.024 ?
密度:8.1 g/cm3
熔點(diǎn):1280°C
硬度: 3.5mohs
熱膨脹系數(shù)10.4x10-6/K
耦合常數(shù):k33(longitudinal
mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88%
壓電系數(shù)d33 :>2000 pC/N
介電常數(shù)e(at 1kHz after poling) :4000 – 6000
介電損耗:tan d<0.9居
里溫度 :135-150°C
生長方法:坩堝下降法
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向:
晶向公差: ±0.5°
常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm
拋光情況:單拋、雙拋、細(xì)磨
拋光面粗糙度:Ra<15A (單晶內(nèi)部有疇)
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。
標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1000級超凈室,100級超凈袋封裝
晶體制備相關(guān)設(shè)備