發(fā)布時間:2024-04-12 瀏覽次數(shù):251
MgO:LiNbO3晶片
純同成份鈮酸鋰晶體的缺點是抗激光損傷闕值很低,這限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。當摻入5mol%MgO后,所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數(shù)量級,極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收邊紫移至310mm,OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應(yīng)用范圍。
產(chǎn)品名稱
光學(xué)級摻鎂鈮酸鋰(MgO:LiNbO3)晶片
產(chǎn)品規(guī)格
晶體結(jié)構(gòu):三方晶系
晶格常數(shù):a=5.147? c=13.856?
密度:4.7g/cm3
熔點:1253℃
生長方法:提拉法
產(chǎn)品規(guī)格:
常規(guī)晶向:Z cut
晶向公差:±0.5°
常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm
拋光情況:單拋、雙拋、細磨
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷:
人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標準包裝:
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理