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MgO:LiNbO3(摻鎂鈮酸鋰)晶片

發(fā)布時間:2024-04-12  瀏覽次數(shù):251


MgO:LiNbO3晶片


純同成份鈮酸鋰晶體的缺點是抗激光損傷闕值很低,這限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。當摻入5mol%MgO后,所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數(shù)量級,極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收邊紫移至310mm,OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應(yīng)用范圍。

產(chǎn)品名稱

光學(xué)級摻鎂鈮酸鋰(MgO:LiNbO3)晶片

產(chǎn)品規(guī)格

晶體結(jié)構(gòu):三方晶系

晶格常數(shù):a=5.147?  c=13.856?

密度:4.7g/cm3

熔點:1253

生長方法:提拉法                         

產(chǎn)品規(guī)格:

常規(guī)晶向:Z cut

晶向公差:±0.5°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm

拋光情況:單拋、雙拋、細磨

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷:

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理

晶體制備相關(guān)設(shè)備   





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