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LGS硅酸鎵鑭晶體基片
產(chǎn)品概述:
可用于制造壓電和電光器件,1它具有高溫壓電性能。機(jī)電耦合系數(shù)是石英的3倍,可用于制造高溫傳感器和高功率、高重復(fù)率電光Q開(kāi)關(guān)。
產(chǎn)品名稱
LGS硅酸鎵鑭晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):三方結(jié)構(gòu)
晶格常數(shù):a-8.170 ? c=5.099 ?
密度:5.75 g/cm3
熔點(diǎn):1470g/em3
硬度(Mohs):5.5~6.5
生長(zhǎng)方法:提拉法
機(jī)電耦合系數(shù)有:0.28~0.46
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向:
定位:X-cut
常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm
拋光情況:雙拋
表面粗糙度<5A
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理