發(fā)布時間:2024-03-25 瀏覽次數(shù):342
Ge(鍺)主要用途有:制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。
產品名稱
Ge晶體基片
技術參數(shù)
晶體結構:立方晶系
晶格常數(shù):5.6754 ?
密度:5.323 g/cm3
熔點:937.4 ℃
介電常數(shù):16.2
熱導率(w/m·k):60.2
摻雜物質:不摻雜;摻Sb;摻In或Ga;
類型:N型 和 P型
電阻率 W·cm:>35 0.05 0.05-0.1
EPD:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2
生長方法:直拉法
產品規(guī)格
常規(guī)晶向:、、
晶向公差:±0.5°
常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm,10x5x0.5mm,dia2",dia3"
拋光情況:單拋、雙拋
表面粗糙度:< 5A
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經理