產(chǎn)品名稱

Cd1-xZnxTe晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系

晶格常數(shù)：a = 6.483 – 6.446?

密度：5.605g/cm3

熔點(diǎn)：1975℃

熱導(dǎo)率：30W /m.k at 300K

熱膨脹系數(shù)：6.5 // a  3.7 // c 10-6/K

透過波長：0.4 ~ 0.6μm                  

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：（111）

型號(hào)：P型   其中Zn占14%

電阻率：1*10(6)

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm

拋光情況：單拋、雙拋

拋光面粗糙度：<15A

注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝