產(chǎn)品名稱

三氧化二鋁(Al2O3)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：六方晶

系晶格常數(shù)：a =4.758 ?   c= 12.992 ?

純度：>99.99％

密度：3.98  g/cm3 

硬度：9 ( mohs)

熔點：2040 ℃

熱膨脹：7.5 (x10-6/ oC)  

熱導(dǎo)46.06@0oC25.12@100oC,12.56@400oC( W/(m.K) ) 

介電常數(shù)：  ~ 9.4 @300Kat A axis ~ 11.58@ 300K at C axis 

生長方法： 泡生法Ky          

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： C（0001）, A（11-20）, M（10-10）, R（1-102）

晶向公差:±0.5°內(nèi)

常規(guī)尺寸：dia3"x0.5mm,  dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm

拋光情況：單拋,  雙拋

拋光面粗糙度:Ra<5A(5x5μm范圍內(nèi))

注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。