發(fā)布時(shí)間:2024-03-15 瀏覽次數(shù):411
GaSb單晶是的晶格常數(shù)與帶隙在0.8~4.3um光譜范圍內(nèi)的各種三元、四元和III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配,所以 GaSb可以作為襯底材料適合用作制備某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y(cè)器,GaSb的晶格限制遷移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。
產(chǎn)品名稱
銻化鎵(GaSb)晶體基片
技術(shù)參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu):立方晶系
晶格常數(shù):6.095?
硬度(Mohs)4.5
密度:5.619 g/cm3
熔點(diǎn):710℃
介電常數(shù):15.7
熱膨脹系數(shù):6.1×10-6/oK
熱導(dǎo)率:270 mW / cm.k at 300K
摻雜類型:N型摻Te;P型不摻雜
載流子濃度:1~2x1017 1~5x1016 1~5x1018 2~6x1017 1~5x1016
位錯(cuò)密度:<103 cm-2
生長(zhǎng)方法:LEC
產(chǎn)品規(guī)格
常規(guī)晶向: (100)、(110)、(111)
常規(guī)尺寸:dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm
拋光情況:?jiǎn)螔?span>
表面粗糙度:<15A
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷
人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢電話:199-5653-2471王經(jīng)理